中国科大两款电源管理芯片亮相

中国科大两款电源管理芯片（高效率低 EMI 隔离电源芯片和快速大转换比 DC-DC 转换器芯片）亮相。

高效率低 EMI 隔离电源芯片
随着隔离电源的尺寸越来越小，芯片内部功率振荡信号频率和功率密度也越来越高。隔离 DC-DC 转换器往往会成为辐射源，导致电磁干扰（EMI）问题。传统隔离 DC-DC 转换器降低 EMI 的方法大多局限于板级层面，开发成本高且无法从根源上解决 EMI 辐射问题。

研究提出了一种对称型 D 类振荡器的发射端拓扑结构，在芯片层面上减小隔离电源系统的共模电流以降低 EMI 辐射。同时，该研究提出的死区控制方法可以巧妙避免从电源到地的瞬时短路电流。此外，该研究提出的架构只采用了低压功率管，从而有效提高了振荡器的转换效率，降低了芯片成本。最终测试结果表明该芯片实现了 51% 的峰值转换效率和最大 1.2W 的输出功率，并且在专业的 10 米场暗室中实测通过了 CISPR-32 的 B 类 EMI 辐射国际标准。

快速大转换比 DC-DC 转换器芯片
单级大转换比 DC-DC 转换器因其具备低传输线损耗、综合效率高等优势，在数据中心、5G 通信基站等领域具有广阔的应用前景。现有的大转换比 DC-DC 转换器多采用多相 DC-DC 转换器与串联电容相结合的混合拓扑结构，以实现等效转换比的扩展，但其负载瞬态响应速度受多相间固定相位差以及多相结构无法同时导通的限制。

研究基于两相串联电容式 DC-DC 转换器拓扑结构，提出了双反馈环路的电压模式 PWM 控制方法，实现对输出电压和串联电容电压的调制。同时，研究还提出了快速瞬态响应技术，既克服传统 PWM 控制方法存在的环路响应速度与负载跳变时刻有关的缺点，也可以利用两相电感电流同步对负载充电以进一步提高转换器的响应速度。最终测试结果表明本研究在 3A 电流的负载跳变下实现了仅 0.9s 的恢复时间，取得了目前同类研究中最快的负载瞬态响应速度。